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Si4056DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
70
V GS = 10 V thru 5 V
50
56
42
28
14
V GS = 4 V
40
30
20
10
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
0
V GS = 3 V
0
T C = - 55 ° C
0
1 2 3 4
5
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
0.05
0.04
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1500
1200
C iss
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.03
V GS = 4.5 V
900
0.02
V GS = 7.5 V
600
C oss
V GS = 10 V
0.01
300
C rss
0.00
0
10
20 30
I D - Drain Current (A)
40
50
0
0
20
40 60 80
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
100
10
On-Resistance vs. Drain Current
2.1
Capacitance
I D = 10 A
I D = 15 A
V GS = 10 V
8
6
4
2
0
V DS = 25 V
V DS = 50 V
V DS = 75 V
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
0.0
4.4
8.8 13.2 17.6
22
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 62662
S12-1136-Rev. A, 21-May-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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